छोटी पीवीडी कोटिंग मशीन

वाष्पीकरण कोटिंग की मूल प्रक्रिया प्रवाह है:

चढ़ाना से पहले तैयारी → वैक्यूमिंग → आयन बमबारी → बेकिंग → प्री-मेल्टिंग → वाष्पीकरण → पिक-अप → फिल्म सतह उपचार → तैयार उत्पाद

1. चढ़ाना से पहले तैयारी

प्रक्रिया में चढ़ाना भागों की सफाई, वाष्पीकरण स्रोत का उत्पादन और सफाई, निर्वात कक्ष में चढ़ाना जुड़नार की सफाई, वाष्पीकरण स्रोत की स्थापना, चढ़ाना भागों की स्थापना आदि शामिल हैं।

(1) मढ़वाया भागों की सफाई और हैंडलिंग:

फिल्म परत और मढ़वाया भाग की सतह के बीच संबंध बल का आकार उत्पाद की गुणवत्ता का एक महत्वपूर्ण संकेतक है। यह कई कारकों द्वारा निर्धारित किया जाता है, और कोटिंग से पहले सतह का उपचार सबसे बुनियादी कारकों में से एक है। यदि मढ़वाया भाग की सतह पर ग्रीस, सोखने वाला पानी, धूल आदि है, तो यह फिल्म के बंधन बल को कम करेगा और सतह खुरदरापन को प्रभावित करेगा।

रासायनिक गिरावट। विभिन्न धातु और गैर-धातु मढ़वाया भागों को संबंधित घटती और घटती प्रक्रिया को अपनाना चाहिए। विशिष्ट तरीकों के लिए, आप संबंधित लेख देखने के लिए इस वेबसाइट के तकनीकी कॉलम में degreasing खोज सकते हैं।

Electrostatic precipitator। मोल्डिंग प्रक्रिया के दौरान मढ़वाया भागों को स्थैतिक बिजली से आसानी से चार्ज किया जाता है, जिससे फिल्म की परत में पिनहोल हो सकते हैं या फिल्म के बंधन बल को कम कर सकते हैं, इसलिए प्राइमर लगाने से पहले स्थैतिक बिजली को हटा दिया जाना चाहिए।

प्राइमर। आम तौर पर, वाष्पीकरण के तल पर फिल्म की मोटाई {{0}} है।05~0.1um, जबकि साधारण चढ़ाना भागों की सतह असमानता 0.5um है, और मोटाई है फिल्म गड्ढों को भरने के लिए काफी नहीं है। सतह खुरदरापन को कम करने के लिए, गड्ढों को खत्म करने और सतह को समतल करने के प्रभाव को प्राप्त करने के लिए आमतौर पर प्लेटेड भागों की सतह पर 7 ~ 10um का एक विशेष प्राइमर लगाया जाता है।

(2) वाष्पीकरण स्रोत का उत्पादन:

उत्पाद की उपयोग की आवश्यकताओं और मढ़वाया भागों की सामग्री के अनुसार, एक उच्च गुणवत्ता वाली फिल्म प्राप्त करने के लिए एक उपयुक्त वाष्पीकरण सामग्री चुनना बुनियादी शर्त है।

धातु फिल्म सामग्री का चयन करने के मूल सिद्धांत हैं: अच्छा थर्मल स्थिरता और रासायनिक स्थिरता, उच्च यांत्रिक शक्ति, कम आंतरिक तनाव, और कुछ क्रूरता, प्राइमर के साथ अच्छा बंधन, उच्च परावर्तन, और वैक्यूम में आउटगैसिंग। छोटा; व्यापक सामग्री स्रोत, कम कीमत और संबंधित वाष्पीकरण स्रोत।

विभिन्न वाष्पीकरण सामग्री को संबंधित वाष्पीकरण स्रोत और वाष्पीकरण चढ़ाना विधि चुनने की आवश्यकता होती है।

(3) निर्वात कक्ष और चढ़ाना स्थिरता की सफाई:

यदि आंतरिक आवरण वाला निर्वात कक्ष प्रदूषित है, तो आवरण को सफाई या नवीनीकरण के लिए हटाया जा सकता है। यदि कोई आंतरिक आवरण नहीं है, तो इसे कैल्शियम कार्बोनेट से मिटा दिया जा सकता है, फिर पानी से पोंछा जा सकता है, और अंत में निर्जल इथेनॉल से मिटा दिया जा सकता है।

आमतौर पर इस्तेमाल किए जाने वाले एल्युमिनियम फिक्स्चर को 20 प्रतिशत NaOH के घोल में तब तक भिगोया जा सकता है जब तक कि सतह भूरे रंग की न हो जाए, फिर बहते पानी से कुल्ला, HNO3 में तब तक भिगोएँ जब तक कि भूरा गायब न हो जाए, और फिर धोया और सुखाया जाए।

(4) वाष्पीकरण स्रोत स्थापित करें:

घटते दस्ताने पहनने के लिए सावधान रहें, और औजारों को पहले ही घटा दिया जाना चाहिए। वाष्पीकरण स्रोत और इलेक्ट्रोड के बीच अच्छे संपर्क पर विशेष ध्यान दें।

(5) मढ़वाया भागों को रखें:

वाष्पीकरण के दौरान स्थिरता के घूर्णन के कारण प्लेटेड भागों को स्थिरता से दूर फेंकने से रोकने के लिए इसे मढ़वाया भागों और मढ़वाया भागों की जमीन पर स्थिर और मजबूती से रखा जाना चाहिए। कम करने वाले दस्ताने पहनें, बोलें नहीं और प्लेटेड हिस्से को साफ रखें।

2. वैक्यूम स्टेप

कूलिंग वॉटर वाल्व खोलें, आवश्यक पानी के दबाव को समायोजित करें, मुख्य बिजली की आपूर्ति को कनेक्ट करें, वैक्यूम चैम्बर की ओर जाने वाले वायुमंडलीय वाल्व को बंद करें, पाइपलाइन वाल्व को बंद करें, मैकेनिकल पंप बिजली की आपूर्ति शुरू करें, और प्री-वैक्यूम वाल्व खोलें। इस समय, यांत्रिक पंप निर्वात कक्ष को खाली कर देता है, फिर चालन बमबारी करता है, प्रसार पंप ताप शक्ति को चालू करता है, और पूर्व-वैक्यूम वाल्व को बंद कर देता है। जब प्रसार पंप काम करने की आवश्यकताओं तक पहुंचता है, तो वैक्यूम वाल्व बंद करें, पाइपलाइन वाल्व खोलें, और उच्च वैक्यूम वाल्व खोलें। , डिफ्यूजन पंप, वैक्यूम चैंबर को पंप करने के लिए मैकेनिकल पंप, जब वैक्यूम एक निश्चित मूल्य तक पहुंच जाता है, सेंकना, पूर्व-पिघल और वाष्पित हो जाता है।

3. आयन बमबारी

चमक के निर्वहन के दौरान, आयन उच्च गति प्राप्त करने के लिए इलेक्ट्रॉनों पर बमबारी करते हैं, और इलेक्ट्रॉनों की बड़ी गतिशीलता के कारण मढ़वाया भागों को तेजी से नकारात्मक रूप से चार्ज किया जाता है। सतह पर ऊर्जा का आदान-प्रदान होता है, और सतह की सफाई के प्रभाव को प्राप्त करने के लिए चढ़ाना टुकड़े की सोखना परत और सक्रिय गैस के बीच एक रासायनिक प्रतिक्रिया होती है।

आयन बमबारी की स्थिति यह है कि अवशिष्ट गैस का दबाव 0.13 ~ 13Pa पर स्थिर है, वोल्टेज 1.5 ~ 10kV है, और समय 5 ~ 60 मिनट है।

4. बेकिंग

यह मढ़वाया भाग या स्थिरता द्वारा adsorbed गैस के तेजी से पलायन को तेज कर सकता है, जो फिल्म परत की वैक्यूम डिग्री और बंधन बल में सुधार करने के लिए फायदेमंद है। पकाते समय, यह ध्यान दिया जाना चाहिए कि गैर-धातु भागों के लिए बेकिंग तापमान प्लेटेड हिस्से के थर्मल विरूपण तापमान से 20 ~ 30 डिग्री कम होना चाहिए। धातु बेकिंग आम तौर पर 200 डिग्री से अधिक नहीं होती है।

5. प्रीमेल्टिंग

यह वाष्पीकरण सामग्री में कम पिघलने बिंदु अशुद्धियों और वाष्पीकरण स्रोत और वाष्पीकरण सामग्री में adsorbed गैस को हटा सकता है, जो वाष्पीकरण की चिकनी प्रगति के लिए अनुकूल है। पदार्थ को बार-बार पूर्व-पिघलाया जाना चाहिए, और सामान्य आवश्यकता यह है कि जब वाष्पीकरण सामग्री को वाष्पीकरण तापमान तक गर्म किया जाता है, तो वैक्यूम की डिग्री कम नहीं होगी।

6. वाष्पीकरण

वाष्पीकरण तकनीक का कोटिंग की गुणवत्ता पर बहुत प्रभाव पड़ता है, और सामान्य धातुओं, विशेष धातुओं और यौगिकों के लिए अलग-अलग आवश्यकताएं होती हैं। उदाहरण के लिए, कुछ धातुओं को जल्दी से वाष्पित करने की आवश्यकता होती है, जबकि अन्य उपयुक्त नहीं होती हैं। हीटिंग विधि और वाष्पीकरण स्रोत का आकार भी होना चाहिए यह वाष्पीकरण सामग्री पर निर्भर करता है।

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